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Si3867DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.3
30
25
I D = 250 μ A
0.2
20
0.1
0.0
10
T A = 25 °C
- 0.1
- 0.2
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.001
Time (s)
Single Pulse Power
1
I D(on)
P(t) = 0.01
Limited
P(t) = 0.1
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 90 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72068
S09-2275-Rev. D, 02-Nov-09
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